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BSZ16DN25NS3 G /MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ16DN25NS3 G的规格信息
BSZ16DN25NS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:10.9 A

Rds On-漏源导通电阻:146 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:11.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:7 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800

单位重量:100 mg

供应商BSZ16DN25NS3 G
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深圳市智连鑫科技有限公司BSZ16DN25NS3 G(SP000781800)深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588		张小姐Email:350367849@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSZ16DN25NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSZ16DN25NS3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司BSZ16DN25NS3 G航都大厦10I0755-23990975
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深圳市星宇佳科技有限公司BSZ16DN25NS3 G深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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芯莱德电子（香港）有限公司BSZ16DN25NS3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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集好芯城BSZ16DN25NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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BSZ16DN25NS3 G的全球分销商及价格
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